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ddr2?ddr2/ddrii（doubledatarate2）sdram是由jedec（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì)）進(jìn)行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)， 它與上一代ddr內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最大的不同就是，雖然同是采用了在時(shí)鐘的上升/下降延同時(shí)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?，但ddr2內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代ddr 內(nèi)存預(yù)讀取能力（即：4bit數(shù)據(jù)讀預(yù)取）。換句話說(shuō)，ddr2內(nèi)存每個(gè)時(shí)鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù)，并且能夠以內(nèi)部控制總線4倍的速度運(yùn)行。
這些cell 以8個(gè)或者16個(gè)為單位，連成bit line，形成所謂的byte(x8)/word(x16)，這就是nand device的位寬。這些line會(huì)再組成page，(nand flash 有多種結(jié)構(gòu)，我使用的nand flash 是k9f1208,下面內(nèi)容針對(duì)三星k9f1208u0m)，每頁(yè)528bytes(512byte(main area)+16byte(spare area))，每32個(gè)page形成一個(gè)block(32*528b)。具體一片flash上有多少個(gè)block視需要所定。

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